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ニュースリリース

テキスト版

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2018年1月31日
開発No.1804

鉄道・電力向けパワーエレクトロニクス機器の小型化・省エネに貢献

6.5kV耐圧フルSiCパワー半導体モジュールを開発

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三菱電機株式会社は、独自の1チップ構造と新パッケージの採用により世界最高※1の定格出力密度を実現した6.5kV耐圧フルSiC※2 パワー半導体モジュールを開発しました。本モジュールを適用することで、高耐圧が求められる鉄道・電力向けパワーエレクトロニクス機器の小型化・省エネに貢献します。

  • ※1 高耐圧パワー半導体モジュールとして(2018年1月31日現在、当社調べ)

  • ※2 Silicon Carbide(炭化ケイ素)

6.5kV耐圧フルSiCパワー半導体モジュール(開発品)

6.5kV耐圧フルSiCパワー半導体モジュール(開発品)

開発の特長

  1. フルSiCで6.5kV耐圧を実現し、パワーエレクトロニクス機器の小型化・省エネに貢献
    • Siパワー半導体モジュールの最高耐圧6.5kVをフルSiCで実現

    • フルSiC適用により高出力密度化とスイッチング損失の大幅低減、動作周波数の向上が可能となり、高耐圧パワーエレクトロニクス機器の小型化・省エネに貢献

  2. 1チップ化と高放熱・高耐熱小型パッケージで世界最高の定格出力密度を実現
    • ダイオードとMOSFET※3を1チップ化したダイオード内蔵SiC-MOSFETを開発し、チップ面積を半減

    • 優れた熱伝導性と耐熱性を両立する絶縁基板と、信頼性の高い接合技術により、高放熱・高耐熱小型パッケージを実現

    • 高耐圧パワー半導体モジュールとして世界最高の定格出力密度9.3kVA/ccを実現

    • ※3 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor:金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ

従来品との比較

定格出力密度※4    損失※4    想定動作周波数※4   
今回(SiC)    1.8(9.3kVA/cc)    3分の1    4   
従来(Si)    1(5.1kVA/cc)    1    1   
  • ※4 当社従来品(Si)を1とした時の比で記載

今後の展開

今後、要素技術の改善や信頼性評価を進めます。

お問い合わせ先
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所

FAX: (06)6497-7289

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